Mẫn Nhi✔
Admin xinh gái
Từng chật vật bám đuổi trong cuộc đua bộ nhớ AI, Samsung vừa tạo nên bước bứt phá bất ngờ khi đưa tỷ lệ sản lượng (yield) của bộ nhớ HBM4 áp sát mốc 80%. Con số "vàng" này đạt được sớm hơn hẳn kế hoạch, giúp hãng tự tin thách thức vị thế thống trị của SK Hynix và lôi kéo các ông lớn như AMD hay Nvidia.
Tuy nhiên, nhờ đẩy nhanh và tối ưu hóa kế hoạch sản xuất, Samsung đã chạm mốc tỷ lệ sống gần 80% – mức được giới kỹ thuật gọi là "Golden Yield" (Tỷ lệ vàng). Đáng chú ý, đây vốn là mục tiêu đặt ra cho thời điểm cuối năm, nhưng công ty đã hoàn thành sớm trước nửa năm. Tốc độ cải tiến này vượt xa dự đoán của giới phân tích và tạo nên sự bất ngờ lớn cho toàn ngành bán dẫn.
Không dừng lại ở đó, Samsung cũng đang chuẩn bị cho thế hệ HBM4E tiếp theo với dung lượng 48 GB và băng thông đẩy lên mức 4 TB/s. Tỷ lệ yield trong các bài kiểm tra độ tin cậy của HBM4E hiện đã đạt 70%. Mục tiêu chiến lược sắp tới của hãng là đưa HBM4E có mặt trên kiến trúc Rubin Ultra của Nvidia cũng như dòng chip MI500 thế hệ mới của AMD.
Sau nhiều thế hệ loay hoay thiết kế và thử nghiệm, việc chinh phục mốc "tỷ lệ vàng" cho thấy Samsung đã thực sự tìm ra công thức sửa sai, sẵn sàng biến cuộc đua AI DRAM thành thế bám đuổi nghẹt thở hơn bao giờ hết.
Tăng tốc từ 60% lên 80% chỉ trong vòng 6 tháng
Thời điểm bắt đầu sản xuất hàng loạt bộ nhớ HBM4 vào tháng 2 năm nay, tỷ lệ sản lượng đạt chuẩn của Samsung chỉ nằm ở mức dưới 60%. Đây là con số khiến không ít người nghi ngờ về khả năng tối ưu hóa quy trình của gã khổng lồ Hàn Quốc, nhất là khi đối thủ SK Hynix đang nắm lợi thế rất lớn ở phân khúc DRAM dành cho AI.Tuy nhiên, nhờ đẩy nhanh và tối ưu hóa kế hoạch sản xuất, Samsung đã chạm mốc tỷ lệ sống gần 80% – mức được giới kỹ thuật gọi là "Golden Yield" (Tỷ lệ vàng). Đáng chú ý, đây vốn là mục tiêu đặt ra cho thời điểm cuối năm, nhưng công ty đã hoàn thành sớm trước nửa năm. Tốc độ cải tiến này vượt xa dự đoán của giới phân tích và tạo nên sự bất ngờ lớn cho toàn ngành bán dẫn.
Những thông số tạo nên sức nặng cho HBM4
Mức yield 80% không chỉ có ý nghĩa về mặt chi phí sản xuất mà còn bảo chứng cho chất lượng của các phiến RAM HBM4. Giải pháp mới của Samsung sở hữu hàng loạt thông số kỹ thuật ấn tượng:- Tiến trình chế tạo: DRAM lớp 10nm (1c) kết hợp logic process 4nm.
- Dung lượng & Cấu trúc: Thiết kế 12 lớp (12-Hi) đạt dung lượng 24–36 GB và bản 16 lớp (16-Hi) đạt tới 48 GB mỗi chồng (stack).
- Băng thông & Tốc độ: Tốc độ chân cắm 11,7–13,0 Gbps, mang lại băng thông lên tới 3,3 TB/s cho mỗi chồng DRAM cùng 2048-pin I/O.
- Nhiệt độ & Năng lượng: Hiệu suất năng lượng tăng 40%, khả năng kháng nhiệt tốt hơn 10% và tản nhiệt hiệu quả hơn 30% so với thế hệ HBM3E.
AMD đã chọn, mục tiêu tiếp theo là Nvidia
Sự vươn lên đúng lúc của HBM4 giúp Samsung lấy lại vị thế cực kỳ thuận lợi trên bàn đàm phán. Hiện tại, AMD đã quyết định ứng dụng bộ nhớ HBM4 của Samsung cho nền tảng Instinct MI400.Không dừng lại ở đó, Samsung cũng đang chuẩn bị cho thế hệ HBM4E tiếp theo với dung lượng 48 GB và băng thông đẩy lên mức 4 TB/s. Tỷ lệ yield trong các bài kiểm tra độ tin cậy của HBM4E hiện đã đạt 70%. Mục tiêu chiến lược sắp tới của hãng là đưa HBM4E có mặt trên kiến trúc Rubin Ultra của Nvidia cũng như dòng chip MI500 thế hệ mới của AMD.
Sau nhiều thế hệ loay hoay thiết kế và thử nghiệm, việc chinh phục mốc "tỷ lệ vàng" cho thấy Samsung đã thực sự tìm ra công thức sửa sai, sẵn sàng biến cuộc đua AI DRAM thành thế bám đuổi nghẹt thở hơn bao giờ hết.
