Mẫn Nhi✔
Admin xinh gái
Hãng sản xuất chip nhớ Trung Quốc CXMT vừa tuyên bố đạt bước tiến công nghệ mà các đối thủ như Samsung Electronics đã theo đuổi nhiều năm, một tuyên bố chưa được kiểm chứng làm chao đảo thị trường chứng khoán và phản ánh nỗ lực tiến sâu vào lĩnh vực bán dẫn then chốt của Bắc Kinh.
Nếu CXMT thực sự đạt được mốc thiết kế 4F², điều đó đồng nghĩa với việc doanh nghiệp này đã đi trước Samsung Electronics và SK Hynix, bất chấp việc phải chịu các lệnh trừng phạt từ Mỹ vốn ngăn cản họ tiếp cận những công cụ hiện đại như thiết bị cao cấp của ASML Holding NV. Dù ông Cao không đưa thêm chi tiết kỹ thuật, các phát biểu được lan truyền rộng rãi này đã kích hoạt làn sóng bán tháo cổ phiếu bán dẫn trên toàn cầu.
Cổ phiếu của Samsung và SK Hynix tại Hàn Quốc đã đồng loạt giảm hơn 7% vào thứ Ba, kéo giảm chỉ số Kospi nói chung, sau khi cổ phiếu Micron Technology chốt phiên đêm trước đó với mức giảm 4%. Nhà phân tích Jing Jie Yu thuộc Morningstar đánh giá rằng việc triển khai thành công và sớm hơn kiến trúc 4F² trong sản xuất DRAM sẽ cải thiện đáng kể vị thế cạnh tranh của CXMT trước các đối thủ. Tuy nhiên, chuyên gia này cũng chỉ ra các bên dẫn đầu mảng bộ nhớ lẫn các hãng thiết bị đều từng nhấn mạnh độ khó của quá trình chuyển dịch công nghệ này, và thị trường vẫn dự đoán sẽ có một khoảng cách thời gian đáng kể từ lúc CXMT giới thiệu sản phẩm 4F² cho tới khi thương mại hóa với mức hiệu suất sản xuất khả thi.
Trong khi đó, Vey-Sern Ling, giám đốc điều hành tại Union Bancaire Privee, nhận định giới đầu tư đang trong tâm lý bất an và tìm lý do để chốt lời ở nhóm cổ phiếu liên quan đến AI đã tăng mạnh trong năm nay, đặc biệt là cổ phiếu chip nhớ.
Tiêu chuẩn 6F² hiện hành trong ngành quy định diện tích bề mặt gấp 6 lần bình phương kích thước đặc trưng của chip, tức độ rộng đường mạch cơ bản giữa các bóng bán dẫn. Cả Samsung lẫn SK Hynix đều đang tìm cách thu nhỏ diện tích này xuống 4F², về mặt lý thuyết sẽ giúp xếp cùng số lượng ô nhớ vào một không gian hẹp hơn để đạt hiệu quả cao hơn.
Theo ông Cao, CXMT đang thay đổi cách bố trí các bóng bán dẫn thông qua phương pháp xếp chồng. Giải pháp mang tên Vertical Surrounding Gate này được kỳ vọng sẽ hạn chế hiện tượng rò rỉ điện cùng các tác dụng phụ khác, vốn là rào cản bấy lâu đối với nỗ lực thu nhỏ kích thước vượt qua mốc 6F² của các công ty lớn. Nếu vận hành hiệu quả, cấu trúc mới sẽ trở thành ví dụ tiếp theo về các giải pháp lách rào cản công nghệ của Mỹ mà các doanh nghiệp Trung Quốc, từ Huawei Technologies đến DeepSeek, đang xây dựng.
Trước đó vào tháng 5, Huawei đã giới thiệu Định luật Tau Scaling như một giải pháp thay thế cho Định luật Moore vốn dựa vào việc thu nhỏ bóng bán dẫn suốt nhiều thập kỷ để tăng hiệu năng. Tập đoàn này tìm cách tăng tốc truyền tải và nâng cao mật độ bóng bán dẫn trong một con chip thông qua công nghệ LogicFolding, đồng thời đã ứng dụng trên các con chip trang bị cho smartphone ra mắt trong năm nay.
Ở phân khúc bộ nhớ băng thông cao, loại bán dẫn chuyên dùng trong các bộ tăng tốc AI của Nvidia Corp., CXMT vẫn đang là bên đi sau. Mặc dù vậy, công ty đang ghi nhận bước tiến vững chắc trên thị trường DRAM nói chung. Dữ liệu tổng hợp từ Counterpoint Research cho thấy thị phần của hãng trong mảng này đã tăng lên mức 10% vào quý 2 năm nay, so với con số chỉ 4% ở cùng kỳ năm ngoái.
Tuyên bố đột phá và phản ứng trên thị trường chứng khoán
Nhà sản xuất chip nhớ hàng đầu Trung Quốc có kế hoạch đưa ra thị trường một dòng chip mới giúp tích hợp nhiều năng lực xử lý hơn vào một linh kiện duy nhất. Chủ tịch CXMT Cao Kanyu đã chia sẻ thông tin này tại một hội thảo ngành diễn ra ở Thượng Hải vào cuối tuần, và phát ngôn sau đó được người đại diện công ty xác nhận. Sản phẩm sắp tới dành cho các máy chủ trung tâm dữ liệu áp dụng thiết kế được gọi là 4F² và dự kiến sẽ ra mắt trước khi năm nay kết thúc.Nếu CXMT thực sự đạt được mốc thiết kế 4F², điều đó đồng nghĩa với việc doanh nghiệp này đã đi trước Samsung Electronics và SK Hynix, bất chấp việc phải chịu các lệnh trừng phạt từ Mỹ vốn ngăn cản họ tiếp cận những công cụ hiện đại như thiết bị cao cấp của ASML Holding NV. Dù ông Cao không đưa thêm chi tiết kỹ thuật, các phát biểu được lan truyền rộng rãi này đã kích hoạt làn sóng bán tháo cổ phiếu bán dẫn trên toàn cầu.
Cổ phiếu của Samsung và SK Hynix tại Hàn Quốc đã đồng loạt giảm hơn 7% vào thứ Ba, kéo giảm chỉ số Kospi nói chung, sau khi cổ phiếu Micron Technology chốt phiên đêm trước đó với mức giảm 4%. Nhà phân tích Jing Jie Yu thuộc Morningstar đánh giá rằng việc triển khai thành công và sớm hơn kiến trúc 4F² trong sản xuất DRAM sẽ cải thiện đáng kể vị thế cạnh tranh của CXMT trước các đối thủ. Tuy nhiên, chuyên gia này cũng chỉ ra các bên dẫn đầu mảng bộ nhớ lẫn các hãng thiết bị đều từng nhấn mạnh độ khó của quá trình chuyển dịch công nghệ này, và thị trường vẫn dự đoán sẽ có một khoảng cách thời gian đáng kể từ lúc CXMT giới thiệu sản phẩm 4F² cho tới khi thương mại hóa với mức hiệu suất sản xuất khả thi.
Trong khi đó, Vey-Sern Ling, giám đốc điều hành tại Union Bancaire Privee, nhận định giới đầu tư đang trong tâm lý bất an và tìm lý do để chốt lời ở nhóm cổ phiếu liên quan đến AI đã tăng mạnh trong năm nay, đặc biệt là cổ phiếu chip nhớ.
Giải pháp kiến trúc và nỗ lực vượt qua rào cản kiểm soát
Phát biểu của ông Cao diễn ra chỉ vài tháng sau khi CXMT từng có thời điểm trở thành công ty có giá trị vốn hóa lớn nhất Trung Quốc tiếp nối đợt IPO bùng nổ vào mùa hè. Tuyên bố này cho thấy nỗ lực của hãng nhằm thu hẹp khoảng cách với các đối thủ nước ngoài trong lĩnh vực chế tạo chip, mảng công nghệ đóng vai trò thiết yếu đối với sự phát triển của trí tuệ nhân tạo.Tiêu chuẩn 6F² hiện hành trong ngành quy định diện tích bề mặt gấp 6 lần bình phương kích thước đặc trưng của chip, tức độ rộng đường mạch cơ bản giữa các bóng bán dẫn. Cả Samsung lẫn SK Hynix đều đang tìm cách thu nhỏ diện tích này xuống 4F², về mặt lý thuyết sẽ giúp xếp cùng số lượng ô nhớ vào một không gian hẹp hơn để đạt hiệu quả cao hơn.
Theo ông Cao, CXMT đang thay đổi cách bố trí các bóng bán dẫn thông qua phương pháp xếp chồng. Giải pháp mang tên Vertical Surrounding Gate này được kỳ vọng sẽ hạn chế hiện tượng rò rỉ điện cùng các tác dụng phụ khác, vốn là rào cản bấy lâu đối với nỗ lực thu nhỏ kích thước vượt qua mốc 6F² của các công ty lớn. Nếu vận hành hiệu quả, cấu trúc mới sẽ trở thành ví dụ tiếp theo về các giải pháp lách rào cản công nghệ của Mỹ mà các doanh nghiệp Trung Quốc, từ Huawei Technologies đến DeepSeek, đang xây dựng.
Trước đó vào tháng 5, Huawei đã giới thiệu Định luật Tau Scaling như một giải pháp thay thế cho Định luật Moore vốn dựa vào việc thu nhỏ bóng bán dẫn suốt nhiều thập kỷ để tăng hiệu năng. Tập đoàn này tìm cách tăng tốc truyền tải và nâng cao mật độ bóng bán dẫn trong một con chip thông qua công nghệ LogicFolding, đồng thời đã ứng dụng trên các con chip trang bị cho smartphone ra mắt trong năm nay.
Vị thế cạnh tranh và tốc độ mở rộng của CXMT
CXMT hiện tăng tốc đẩy mạnh sản lượng bộ nhớ tiên tiến nhằm đáp ứng nhu cầu AI đang bùng nổ. Năng lực chế tạo các sản phẩm phức tạp cũng sẽ giúp công ty có vị thế thuận lợi hơn khi tình trạng thắt chặt nguồn cung toàn cầu bắt đầu hạ nhiệt trong những năm tới.Ở phân khúc bộ nhớ băng thông cao, loại bán dẫn chuyên dùng trong các bộ tăng tốc AI của Nvidia Corp., CXMT vẫn đang là bên đi sau. Mặc dù vậy, công ty đang ghi nhận bước tiến vững chắc trên thị trường DRAM nói chung. Dữ liệu tổng hợp từ Counterpoint Research cho thấy thị phần của hãng trong mảng này đã tăng lên mức 10% vào quý 2 năm nay, so với con số chỉ 4% ở cùng kỳ năm ngoái.
